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MMBT2131T1中文资料

MMBT2131T1图片

MMBT2131T1外观图

  • 大小：115.58KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：General Purpose Transistors
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.7 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：150 at 100 mA at 3 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SC-74-6
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：0.7 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：342 W
  • 工厂包装数量：3000

MMBT2131T1供应商

更新时间:2023-01-08 17:41:45
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